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	Intel展示0.18微米铝工艺
	Intel公司在近日举行的第44届国际电子设备大会（the 44th International Electron Devices Meeting）上展示了其0.18微米铝工艺，这种工艺将在明年的Katmai处理器生产中投入批量使用。Intel宣称，该工艺在1.5伏电压下各部分的总延时小于11皮秒，这是到目前为止0.18微米铝工艺的最高水平。该工艺的操作电压设定为1.3至1.5伏。该公司坚持使用铝而不是铜作为导体，至少暂时如此。　　Intel公司选择铝而不用铜为导体，这是因为它采用了一种氟化硅氧化物SiO2F作为层间绝缘体（inter-level-dielectric）。通过在硅氧化物中掺入5.5％的氟化物，可使ILD的k值达到3.55，低于Intel原先使用的基于SiO2的ILD的k值。　　Intel宣称借助使用低k值的层间绝缘体并改变金属导线的截面比（高比宽）以降低窄线时阻抗的办法，使其0.18微米工艺比IBM公司的铜工艺更快，而且工艺成本也低。　　这种工艺生产的一种测试芯片－－含有超过1亿个晶体管的16-Mbit SRAM，能够以900MHz 的速度运行。这种SDRAM的每个6－晶体管单元占据5.9平方微米的面积，这说明能够在处理器内核中以同样方式构造庞大数量的高速缓存。　　Intel一位名叫Simon Yang的工程师在这次IEDM上撰文指出，0.18微米工艺“将在今后的几个季度中平稳过渡到批量生产。